微晶晶振,高精密贴片晶振,CM7V-T1A压电石英晶体.贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
微晶在瑞士、泰国建有生产中心,及遍布世界各地的代表处.我们所有的进口晶振产品都得到ISO9001和ISO14001的认证,并达到RoHS,REACh等规范的要求.全球约550个员工的责任感和奉献精神是我们成功的基石.我们对管理、环境、社会责任都有明确的行为准则(比如对有争议的原材料的问题上),这些是我们在未来保持竞争优势的主要原因.
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.
	
 
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					 微晶晶振  | 
				
					 单位  | 
				
					 CM7V-T1A晶振  | 
				
					 石英晶振基本条件  | 
			
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					 标准频率  | 
				
					 f_nom  | 
				
					 32.768KHz  | 
				
					 标准频率  | 
			
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					 储存温度  | 
				
					 T_stg  | 
				
					 -55°C~+125°C  | 
				
					 裸存  | 
			
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					 工作温度  | 
				
					 T_use  | 
				
					 -40°C~+85°C  | 
				
					 标准温度  | 
			
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					 激励功率  | 
				
					 DL  | 
				
					 1.0μW Max.  | 
				
					 推荐:10μW  | 
			
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					 频率公差  | 
				
					 f_— l  | 
				
					 ± 20ppm ±100ppm  | 
				
					 
						+25°C对于超出标准的规格说明, 
					 
 
					
						请联系我们以便获取相关的信息,http://www.crystal95.com/
					 
 
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					 频率温度特征  | 
				
					 f_tem  | 
				
					 30 × 10-6,±50 × 10-6  | 
				
					 超出标准的规格请联系我们.  | 
			
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					 负载电容  | 
				
					 CL  | 
				
					 6.0pF 7.0pF 9.0pF 12.5pF  | 
				
					 不同负载要求,请联系我们.  | 
			
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					 串联电阻(ESR)  | 
				
					 R1  | 
				
					 如下表所示  | 
				
					 -40°C — +85°C,DL = 100μW  | 
			
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					 频率老化  | 
				
					 f_age  | 
				
					 ±3× 10-6/year Max.  | 
				
					 +25°C,第一年  | 
			
	
 
	
	
	
	 
		激励功率
	 
		在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英3.2x1.5晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
	 
		自动安装时的冲击
	 
		自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些进口晶体振荡器.请设置安装条件以尽可能将冲击降至低,并确保在安装前未对产品特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英32.768K晶振未撞击机器或其他电路板等.
	 
		
		 
			噪音
		 
			在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
		 
			撞击
		 
			虽然石英晶体谐振器产品在设计阶段已经考虑到其耐撞击性,但如果掉到地板上或者受到过度的撞击,以防万一还是要检查特性后再使用.
		 
		
		 
			负载电容
		 
			振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
		
	
 


 
                        
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