富士晶振公司股份有限公司位于日本山梨县南都留郡富士河口湖町胜山1430-1富士晶振公司主要以石英晶振,电子元件,三端稳压管,LED照明,高压电容器,薄膜电容器等产品的生产与开发,在于2013年开始处理,软件的开发,今后在有线、无线通信设备的本公司商品化目标。今后更能迅速满足市场的需求。目前针对中国市场主要以石英晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,有源晶振系列产品作为主打。石英晶体振荡器,贴片型时钟晶体振荡器,FCO-300晶振
富士晶振,石英晶体振荡器,FCO-300晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
贴片有源晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。石英晶体振荡器,贴片型时钟晶体振荡器,FCO-300晶振
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项目 |
符号 |
FCO-300晶振规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
1.00MHz to75 MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.80 V to 3.3 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -10℃to +70℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com |
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H: -40℃to +85℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。
输出负载
建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间)。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。石英晶体振荡器,贴片型时钟晶体振荡器,FCO-300晶振


TXC晶振,贴片晶振,7M晶振,7M-12.000MAHE-T晶振
TXC晶振,贴片晶振,7V晶振,7V-27.120MAAV-T晶振
CMOS,FCD-Tech移动设备晶振,SX5CB-15F00E-32MHz,5032mm,32MHZ振荡器
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ABDFTCXO-50.000MHZ-E-2-CT,Abracon晶体振荡器,低功耗晶振
DSC1003DE1-048.0000T,2520mm,Microchip贴片晶振,监控摄像头晶振
DSC1025BI1-125.0000,5032mm有源晶振,Microchip消费电子晶振