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为什么TCXO有削波的正弦波输出？

大多数陶瓷LCC封装的TCXO温补晶振仅提供削波正弦波输出。这样做的原因有很多，尽管它让许多想要CMOS输出电平的电路设计人员感到沮丧。

* CMOS输出会显着增加TCXO IC的功耗。IC和封装中产生的温度梯度将限制实现最佳TCXO补偿的能力。

* 由于内部热梯度导致TCXO不符合规格，可能的CMOS负载范围很广会改变补偿设计。

* 当输出电平改变时，CMOS输出会导致电源和接地瞬变。这种噪声会对TCXO的相位噪声性能产生不利影响。

* CMOS输出会产生更大的EMI/RFI信号，这可能会导致难以满足美国FCC和其他国家最终系统的辐射能量限制。削波的正弦波，既是低幅度又主要是正弦波，导致低信号电平和更少的谐波。

* 使用这些TCXO的许多应用都有ASIC输入，可以接受削波正弦波并在内部转换为CMOS逻辑电平。

TCXO和OCXO技术之间的区别,集成电路技术的进步使得OCXO和TCXO模糊了他们的历史差异。随着技术的进步，这两种类型的振荡器使得许多设计者很难确定哪种技术是合适的,对于特定的应用。本应用笔记旨在为设计人员提供一个比较OCXO和TCXO的，以帮助作出更明智的选择，并实现给定应用的最佳性能

OCXO恒温晶振和TCXO温补晶振技术之间的当前分界线大约是0.28 PPM的水平,超过所需的温度范围。TCXO为第三层应用开发提高了温度范围内的稳定性，接近传统的稳定性,由OCXO实现的。由于这两种技术都适用于应用程序，这可能会造成混淆,决定哪一个最适合给定的应用。

TCXO是一种温补晶体振荡器，具有施加到电压上的校正电压 控制引脚。该电压随温度变化，使频率回到标称值。这应用在规格的整个频率范围内使用晶体。任何水晶耦合模式等相关问题无法校正，并且会叠加在频率-温度曲线上。这使得晶体的设计和制造变得困难,也是TCXO的重要组成部分。

温度稳定的环境具有一些固有的优点。这种方法大大地降低前面提到的温度系数效应。当EFC变化+/-4 ppm和+/- 8 ppm时，OCXO的频率温度特性去TCXO。数据显示与控制电压变化相关的OCXO的稳定性在范围内与50-100 ppb的TCXO相比，其为5-10 ppb

OCXO具有在非常窄的温度范围内锻炼石英晶体的额外优势窗口，通常为几度或更小。这大大减少了激发不必要的机会晶体中的模式。这种方法的最大缺点是设备的尺寸和电源要求。随着技术的发展，这些设备的尺寸和功率需求设备继续减少。

Pletronics石英晶振频率控制技术，频率控制的发展一直在稳步前进技术。虽然许多变化是技术自然发展的结果，主要驱动因素是增强的制造能力、降低成本的需求以及对于更小的尺寸、更高的稳定性、更低的功耗，和更快的启动。

石英元器件，主要是体声波(BAW)器件，长期以来一直是所有商用时钟源的比较标准。历史石英晶体作为用于频率控制的非常稳定、高质量的石英晶体谐振器已被很好地证明举世公认。石英频率控制器件的频率与温度响应、老化、抖动和相位噪声特性都在中有详细记录行业。然而，这种特性与采用新技术的频率控制装置的简明技术比较一直缺乏。建立MEMS和之间的基准其他设备与已建立的石英基设备相比，该分析的作者开始2007年的一项研究，并在2008年发表了频率控制装置的对比分析。这比较研究是对早期基准分析的更新和扩展。

恒温控制晶体振荡器(OCXO)通常用于高精度频率应用。 这种方法将晶体和相关的振荡器电路加热到水晶。在OCXO应用中使用的上转折点的一部分。OCXO具有在非常窄的温度范围内锻炼晶体的额外优势窗口，通常为几度或更小。这大大减少了激发不必要的机会晶体中的模式。这种方法的最大缺点是设备的尺寸和电源要求。随着技术的发展，这些设备的尺寸和功率需求设备继续减少。

8px"="">这些振荡器的晶体是这样制造的，即上转折点高于最高点额定温度范围。晶体和相关电路被加热到并保持在晶体上该点周围的温度窗口变窄，设备被调谐到频率那个温度。

FOX晶振公司自成立以来，Fox Electronics 一直是全球领先的频率控制解决方案供应商，拥有业内最广泛的先进频率控制产品，适合的应用从无线通信、计算机到仪器、航空航天等。该公司是锻造工艺突破方面的先驱，并因此而闻名，这一技术改变了频率控制行业的面貌。最近，该公司推出革命性的 XpressO 系列可配置振荡器，为购买者和设计人员带来了全新水平的交付灵活性，缩短了提前期并降低了成本.且完全不会折损最高的电气性能水平。Fox Electronics晶振主要生产石英晶体振荡器，贴片晶振，有源晶振，温补晶振等产品，所生产的产品受到各行各业的应用范围内，以技术占领市场，以质量赢得客户。FOX有源晶振编码FX532B-20.000型号为FX532B晶振,是一款小体积尺寸5.0x3.2mm四脚贴片晶振。

CVCO55CC-3950-3950 非常适合用于数字无线电设备、固定无线接入、卫星通信系统和基站等应用。

CVCO55CCQ-1620-1620 型号在美国设计和制造，采用行业标准的 0.5 x 0.5 英寸 SMD 封装。输入电压为 5 V，最大电流消耗为 35 mA。Pulling 和 Pushing 分别最小化为 0.5 MHz pk-pk 和 0.3 MHz/V。二次谐波抑制典型值为 -15 dBc。
CVCO55CCQ-1620-1620 非常适合用于数字无线电设备、固定无线接入、卫星通信系统和基站等应用

CVCO55CCN-1500-1500 型号在美国设计和制造，采用行业标准的 0.5 x 0.5 英寸 SMD 封装。输入电压为 5 V，最大电流消耗为 36 mA。Pulling 和 Pushing 分别最小化为 1 MHz pk-pk 和 1 MHz/V。二次谐波抑制典型值为 -20 dBc。
CVCO55CCN-1500-1500 非常适合用于数字无线电设备、固定无线接入、卫星通信系统和基站等应用

CVCO55CCN-0770-0800 VCO（压控振荡器）工作频率为 770 至 800 MHz，控制电压范围为 0.5 至 4.5 V。该 VCO 的典型相位噪声为 -118 dBc /Hz @ 10 kHz 偏移并具有出色的线性度。输出功率通常为 4 dBm。
CVCO55CCN-0770-0800 型号在美国设计和制造，采用行业标准的 0.5 x 0.5 英寸 SMD 封装。输入电压为 5 V，典型电流消耗为 23 mA。Pulling 和 Pushing 分别最小化为 1 MHz pk-pk 和 1 MHz/V。二次谐波抑制典型值为 -25 dBc。
CVCO55CCN-0770-0800 非常适合用于数字无线电设备、固定无线接入、卫星通信系统和基站等应用。

CVCO55CW-0200-0400 非常适合用于数字无线电设备、固定无线接入、卫星通信系统和基站等应用。

CVCO55CCQ 1700-1700 型号在美国设计和制造，采用行业标准的 0.5 x 0.5 英寸 SMD 封装。输入电压为 8.0 V，最大电流消耗为 35 mA。Pulling 和 Pushing 分别最小化为 0.5 MHz pk-pk 和 0.5 MHz/V。二次谐波抑制典型值为 -10 dBc。
CVCO55CCQ-1700-1700 非常适合用于数字无线电设备、固定无线接入、卫星通信系统和基站等应用。