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Pletronics振荡器TCXO和OCXO的技术比较
集成电路技术的进步导致了OCXO和TCXO的增强,模糊了它们的历史差异。随着技术的进步,这两种振荡器的功能使得许多设计者很难确定哪种技术适合于特定的应用。本应用程序说明旨在为设计者提供OCXO和TCXO的比较,以帮助做出更智能的选择,并实现给定应用程序的最佳性能。
目前OCXO和TCXO技术之间的分界线是在所需温度范围内约0.28PPM。TCXO晶体振荡器用于第3层应用的发展导致了稳定性在温度范围内的进步——接近传统上由OCXO所实现的稳定性。由于这两种技术都可用于应用程序,决定哪种最适合给定的应用程序可能会感到困惑。
1, TCXO技术
ACT技术论文BVCT4-26.000MHZMDN-BBACT晶体术语的A到Z
使用晶体时常用关键字的定义
老化
石英晶体老化适用于频率随时间的累积变化,这导致晶体单元工作频率的永久变化。在运行的前45天,石英晶振频率的变化速度最快。老化涉及许多相关因素,一些最常见的因素是:内部污染、过度驱动水平、晶体表面变化、各种热效应、金属丝疲劳和摩擦磨损。结合低工作环境、最小驱动电平和静态预老化的适当电路设计将大大减少除最严重老化问题以外的所有问题。