86-0755-27838351
康华尔电子成立至今已有20多年,是国内数一数二的晶振厂家0755-27838351,专业研发生产销售石英晶振,32.768K晶振,石英晶体谐振器,贴片晶振,SAW滤波器等.采用无铅环保材料生产,具有精度稳定,小体积,重量轻等特点.国产晶振就选康华尔电子,质量好,精度高,价格优势.
康华尔电子多年来在竞争激烈的市场中,以技术占领市场,以质量赢得客户,是国内口碑极高的晶振供应商.并且凭借自身的努力代理台湾进口晶振多个品牌,TXC晶振,鸿星晶振,加高晶振,亚陶晶振等.康华尔电子所提供的台产晶振,均符合德国ROHS环保指令,具有高质量,高可靠使用特性,咨询选购热线0755-27838351.
日本进口晶振在国内口碑一流,高端智能产品使用晶振大都会选择日产晶振作为首选.康华尔电子凭借自身的努力同时代理KDS晶振,爱普生晶振,精工晶体,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶体振荡器,贴片晶体均符合欧盟ROHS环保要求,具有高精度,高品质,低插损,耐高温等特点.
康华尔电子是国内优秀的欧美进口晶振供货商0755-27838351,多年来凭借自身的努力,获得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理权限.所代理进口晶振,欧美晶振均符合欧盟ROHS环保指令,并且获得ISO国际质量管理体系认证.市场常用进口晶振封装型号康华尔电子均有备货,可免费提供现货样品以及晶振技术解决方案.
32.768K是晶振频率中最容易让人记住的数字,32.768K晶振素来有时钟晶振的称谓,只要跟数字显示以及时间相关的产品都少不了一款32.768K晶振.根据不同的产品需求主要分为圆柱晶振和32.768K贴片晶振.常见封装有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等体积.康华尔电子提供各种32.768K晶振,音叉表晶,价格优质,咨询热线0755-27838351.
有源晶振是一款自身带有电源电压功能的石英晶体振荡器,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
Microchip晶振耐辐射低抖动时钟发生器核心技术优势
随着航空航天商业化提速,国防军工装备智能化迭代,卫星组网规模化落地,深空探测任务常态化开展,高端特种电子设备的工作环境与运行任务愈发严苛复杂.时钟时序系统作为所有电子设备的核心"时序心跳基准",贯穿数据运算,信号传输,指令控制,授时同步,姿态调控全流程,其稳定性,精准度与抗干扰能力,直接决定整机设备的运行精度,通信可靠性,控制稳定性以及超长期在轨,在岗服役寿命,是高端装备不可或缺的核心基础器件.区别于普通民用消费电子,常规工业设备的温和运行环境,航空航天,军工测控,高端精密仪器等领域对时钟发生器提出了远超通用器件的极致硬性技术指标,核心聚焦三大核心维度:超强太空辐射耐受能力,全域超低待机与运行功耗,飞秒级极致超低相位抖动.航天器在轨运行时,长期面临高能质子,高能电子宇宙射线辐射,-55℃至+125℃耐高温晶振,真空失重,空间强电磁干扰,长期无人值守不间断运行,电池无源长效供电等多重极端恶劣工况.在此类复杂环境的长期耦合作用下,传统普通石英晶振,工业级时钟芯片极易出现晶体老化,频率大幅漂移,相位抖动严重超标,间歇性停振,静态功耗飙升等各类故障,轻则造成设备高速通信失步,传感数据错乱,运动控制偏移,授时精度失效等性能问题,重则直接引发整机系统程序宕机,在轨任务中断,航天载荷报废,军工设备失灵等致命事故,给高端特种项目造成不可挽回的损失.因此,搭载高性能,高可靠,抗极端工况的专业时序时钟解决方案,已经成为新一代高端特种装备研发升级的刚需核心.
为彻底解决传统时序器件在高端严苛场景下的各类技术短板,攻克航天军工时序系统"抗辐射弱,抖动大,温漂高,功耗高,集成度低"的行业技术瓶颈,Microchip(微芯科技)凭借数十年宇航级,军工级精密时序器件的研发积淀与工艺迭代经验,结合太空在轨,军工野外极端工况的实测数据积累,重磅推出新一代耐辐射,低功耗,超低抖动可编程时钟发生器全系列产品,其中DSA504RT宇航级六输出时钟发生器为该系列标杆核心型号,广泛适配各类高端航天军工项目.该系列产品专为航空航天,国防军工极端恶劣工况量身定制开发,创新性融合Microchip独家PureSilicon™MEMS精密硅时序核心架构与原厂加固型宇航级抗辐射制造工艺,彻底颠覆传统石英晶振的物理局限性.相较于传统分立时钟方案,该器件从底层架构解决了传统器件辐射耐受能力不足,高频时序抖动严重,全温域温度漂移明显,长期老化衰减快,运行功耗居高不下,分立搭建集成度低,一致性差等先天性痛点.凭借一体化可编程设计,宇航级加固防护,极致纯净时序输出,超低功耗运行的综合优势,成为当前新一代星载计算系统,航天智能载荷,军工测控设备,高精度导航设备,高端精密检测仪器的标准化,高可靠,可量产核心时序解决方案,全面替代传统分立晶振+时钟芯片的老旧架构.
深圳市康华尔电子有限公司作为Microchip微芯科技官方认证一级授权代理商,深耕Microchip精密时序器件,宇航级芯片,军工级半导体器件领域多年,是国内极少数具备Microchip宇航级,军工级,工业级晶振及耐辐射时钟发生器全系列产品配套能力与技术落地能力的专业服务商.公司长期聚焦航空航天科研,国防军工,卫星组网,高端工业测控,精密仪器制造等高端领域,深耕Microchip时序器件应用赛道,技术团队深度吃透Microchip耐辐射时钟发生器的底层架构原理,太空极端工况适配逻辑,多通道时钟同步参数调校,高低温精度优化,低功耗模式配置,抗辐射方案适配以及量产落地全套规范.针对航天科研院所,军工配套企业,卫星设备研发厂商,高端工控设备企业,精密仪器厂商的定制化研发与量产需求,我司可提供原厂原装精准选型,定制化时序方案设计,硬件电路适配优化,时序精度校准调试,样品测试验证,小批量试样,大批量量产供货,全程技术答疑与故障兜底的一站式闭环赋能服务.我司所有Microchip消费电子晶振时序产品100%原厂全新原装正品,全套宇航级认证,抗辐射测试报告,高低温检测报告,品质溯源资质齐全,库存充足,交付稳定,报价透明,全方位保障客户项目研发进度与批量产品可靠性.咨询热线:0755-27838351.
一,高端装备时序系统核心痛点,传统器件难以突破瓶颈
当前多数航天军工,高端精密设备仍沿用传统分立晶振,通用时钟芯片搭建时序系统,在极端工况与高精度要求下,暴露诸多无法根治的先天性短板,严重制约设备性能升级与可靠性提升.
首先是抗辐射能力薄弱,在轨稳定性差.太空环境持续存在高能质子,电子粒子辐射,普通时钟器件极易发生单粒子翻转,单粒子闭锁,晶体老化衰减,导致频率漂移,时序紊乱,间歇性停振,大幅缩短航天器在轨服役寿命,增加设备故障风险.
其次是相位抖动过大,高精度场景适配不足.在高速SerDes通信,PCIe高速传输,星间链路同步,高精度轨道解算,精密数据采集场景中,时序抖动直接决定数据传输误码率与系统控制精度.传统时钟发生器抖动普遍在皮秒级,无法满足新一代高速,高精度设备的时序严苛标准,极易出现通信失步,数据错位,运算偏差等问题.
再者是运行功耗偏高,制约长效值守设计.航天设备,野外无人值守终端,电池供电特种装备对功耗控制极致严苛,传统多通道时钟器件内核功耗高,静态损耗大,长期持续运行会大幅消耗电源能量,缩短设备续航与在轨运行周期,无法适配超长待机,低功耗在轨值守需求.
最后是集成度低,架构繁琐,系统可靠性弱.传统方案需要外挂多颗晶振,分频器,缓冲器,匹配电路实现多路时钟输出,BOM器件多,PCB布线复杂,链路干扰大,不仅增加设备自重与体积,还会提升系统失效率,不利于高端设备轻量化,高可靠,集成化迭代升级.
在此行业背景下,兼具宇航级耐辐射,飞秒级超低抖动,极致低功耗,高集成多路输出的Microchip振荡器高端时钟发生器,成为突破高端时序技术瓶颈,赋能装备升级的核心优选.
二,Microchip耐辐射低抖动时钟发生器核心技术优势
针对高端航天军工设备对时序系统极致可靠性,精准度与低功耗的核心刚需,Microchip重磅迭代推出新一代宇航级时钟发生器,彻底革新传统石英晶振与时序芯片的老旧架构,核心搭载品牌独家自研的PureSilicon™MEMS精密时序架构,搭配原厂专属硬件级抗辐射屏蔽工艺与超低噪声高阶锁相环核心技术,从芯片底层架构完成全方位技术升级与优化.相较于传统分立时序器件,该器件高度集成可编程多通道分频单元,独立差分输出缓冲模块,智能降噪电路与动态功耗控制单元,摒弃了传统方案外置分频,缓冲,滤波的繁琐分立设计.依托先进的MEMS硅晶振工艺,彻底解决传统石英晶体器件抗辐射能力弱,温漂系数大,高频抖动明显,老化衰减快,功耗不可控的先天性缺陷,结合硬件级辐射加固设计与精细化信号降噪算法,从根源上实现强抗辐射干扰,飞秒级超低抖动,全域超低功耗,高集成极简架构四大核心技术突破.整套硬件架构经过原厂严苛的宇航级工况验证,高低温循环测试,辐射老化筛选与长期稳定性测试,性能表现远超行业通用时序器件,可从容适配航空航天,国防军工,高端精密测控,高速通信,深空探测等各类高严苛,高可靠,高精度的极端应用场景,为高端特种装备提供稳定,纯净,长效的核心时序基准.
1,宇航级耐辐射工艺,适配太空极端辐射工况
该系列时钟发生器经过Microchip原厂全套宇航级抗辐射加固设计与严苛测试,具备优异的总剂量辐射耐受,单粒子翻转防护,单粒子闭锁防护能力,可长期抵御太空高能粒子持续侵蚀.器件内部搭载专属辐射容错电路与信号纠错机制,在强辐射环境下可稳定保持频率精度,时序相位不变,无漂移,无乱振,无停振故障,全面满足航天器5-15年超长在轨服役的可靠性标准,是星载设备时序系统的硬核安全保障.
2,飞秒级超低相位抖动,极致时序纯净度
器件搭载高精度低噪声模拟锁相环与多级滤波降噪架构,在12kHz-20MHz标准测试带宽内,实现低至200飞秒(fs)的超低RMS相位抖动,时序纯净度行业领先.远超传统皮秒级时钟器件的性能表现,可完美兼容PCIe1-7代高速总线,10G/40G高速以太网,高速SerDes传输,6G移动应用晶振高精度GNSS授时,星间链路同步等超高精度时序场景,有效降低系统数据误码率,杜绝通信失步,控制偏移,数据错乱等问题,全方位提升高端设备的运行精度与稳定性.
3,极致低功耗设计,赋能长效在轨值守
Microchip针对航天低功耗场景深度优化硬件架构,采用低漏电晶圆工艺,智能动态功耗调度,休眠值守机制,大幅降低内核静态功耗与动态运行功耗.相较于传统多通道时钟芯片,该系列器件整机功耗大幅缩减,可在7×24小时不间断输出精准时钟信号的同时,最大化减少无效电能损耗.支持设备深度休眠时序值守,按需唤醒工作模式,完美适配卫星载荷,深空探测器,野外无人值守设备,电池供电特种装备的超低功耗设计需求,有效延长设备续航与在轨服役周期.
4,高集成可编程多路输出,极简系统架构
以DSA504RT为代表的高端时钟发生器,支持单主源多路相位对齐时钟输出,集成6路可配置输出缓冲,无需外挂多颗晶振与分立分频器件.可通过软件灵活配置输出频率,相位,电平标准,兼容LVPECL,LVDS,HCSL,CMOS等主流工业与航天电平协议,单颗芯片即可替代传统多晶振分立架构.大幅精简外围电路,缩减PCB布局面积,降低设备自重与BOM成本,减少链路干扰与单点故障风险,助力高端设备实现轻量化,集成化,高可靠设计升级.
5,超宽温全域稳定,适配极端温差工况
器件严格遵循宇航级品控标准,支持-55℃~+125℃超宽温域稳定工作,搭配原厂智能温度补偿算法与低温漂MEMS振荡器架构,可从容应对太空向阳高温暴晒,背阴极寒低温,昼夜极速温差交替的极端工况.全温域范围内频率温漂极小,无高低温停振,精度跳变,时序抖动恶化等问题,实现全天候,全工况长效稳定运行.
三,核心应用场景,覆盖高端严苛领域
Microchip这款新一代耐辐射,超低抖动,低功耗宇航级时钟发生器,凭借独家PureSilicon™MEMS架构带来的综合性能优势,完美解决了传统石英晶振与通用时钟芯片在极端环境下精度不足,稳定性差,功耗偏高,抗辐射弱的行业难题.器件同时兼备宇航级辐射加固能力,飞秒级纯净时序输出,全域超低功耗运行特性,高度集成化硬件架构与超宽温全域稳定工作能力,五大硬核优势相辅相成,可全方位覆盖航空航天,国防军工,精密检测,高端工业控制,高速通信等各类高精密,高可靠,长寿命的严苛应用场景,为不同领域高端设备量身打造稳定,精准,长效的核心时序底座,有效解决各类高端装备在复杂工况下的时序紊乱,通信失步,控制漂移,寿命不足等核心痛点.具体落地应用价值如下:
-航空航天设备场景:广泛适配低轨巨型组网卫星,高轨定点通信卫星,深空探测飞行器,星载智能处理载荷,卫星姿态感知与控制系统,星上自主计算平台等核心航天设备.航天器在轨长期面临宇宙高能粒子辐射,超大温差交替,真空失重,无人长期值守等极端工况,对时序系统的长期稳定性与精度保持性要求极高.Microchip宇航级时钟发生器凭借专业抗辐射加固工艺,可有效抵御单粒子效应与总剂量辐射侵蚀,在轨服役周期可达10-15年以上,能够持续为星载数据运算,星地双向通信,高精度卫星授时,轨道姿态解算,载荷数据采集存储提供毫秒,纳秒级精准时序基准,彻底杜绝因时序漂移,抖动,停振导致的卫星定位偏差,通信断连,载荷数据错乱,姿态控制失效等重大问题,全面保障航天器在轨任务稳定,安全,长效运行.
-国防军工装备场景:完美适配军工高精度测控系统,野战特种通信装备,军用导航定位设备,相控阵雷达探测系统,军工智能感知终端,机载弹载特种电子设备等军工核心装备.军工设备常部署于高空,野外,机动复杂场景,面临强电磁干扰,复杂温变,辐射干扰,机动震动等恶劣环境,同时对信号传输精度,定位准确性,设备抗干扰能力,运行可靠性有着极致标准.该时钟发生器依托200fs超低相位抖动优势,可保障军工高速信号传输,雷达回波信号解析,高精度导航定位的时序纯净度,大幅降低信号误码与定位偏差;凭借硬核抗辐射,抗干扰,宽温稳定特性,可从容适配各类复杂野外,高空,机动极端工况,保障军工装备在复杂战场环境下全程稳定工作,无时序失效,设备失灵等隐患,全面提升军工装备的环境适应性与任务可靠性.
-高端精密测试设备晶振场景:全面适配实验室高精度时序基准仪器,高速模拟/数字信号采集设备,精密频谱分析仪器,高精度计量检测设备,半导体测试设备,精密光学检测终端等高端精密装备.精密检测仪器的核心精度完全依托纯净,稳定,无漂移的时序时钟,传统时钟器件皮秒级抖动,温漂偏差极易导致检测数据偏差,重复性差,精度不达标等问题.Microchip宇航级时钟发生器凭借飞秒级超低抖动,近零温漂,长期高精度保持特性,能够为仪器高速采样,信号解析,数据校准,精密计量提供极致纯净的时序支撑,有效提升设备检测精度,数据一致性与测试重复性,助力高端精密仪器实现高精度,高稳定,高可靠的检测作业,满足科研实验,精密计量,高端制造的严苛精度标准.
-高端工业自控设备场景:适用于工业高速总线控制系统,高精度伺服运动控制系统,智能工业机器人,野外无人值守工控终端,光伏风电智能测控设备,远程数据采集终端等高端工业设备.现代高端工业现场普遍存在强电磁干扰,设备频繁启停,环境温变波动大,24小时不间断运行等工况,传统时钟器件易出现时序漂移,工作不稳定,功耗过高等问题,导致设备控制精度下降,系统卡顿,数据同步失效.该系列时钟发生器具备超强电磁抗干扰能力,-55℃~+125℃超宽温稳定性能与极致低功耗运行机制,可长期适配复杂工业恶劣环境,保障工业设备时序基准恒定,控制逻辑精准,数据同步实时稳定,有效提升工业自动化设备的运行稳定性,控制精度与长效值守能力,助力工业设备高端化,精密化,低功耗升级.
-高速通信系统场景:精准适配10G/40G/100G高速以太网传输系统,PCIe全代际高速总线接口,星间高速链路通信设备,高速SerDes数据传输系统,5G/6G高端通信基站设备等高速传输场景.高速通信系统对时序抖动极度敏感,微小的相位抖动都会引发数据误码,传输丢包,链路失步,带宽衰减等问题,直接影响通信质量与传输效率.Microchip超低抖动时钟发生器凭借行业顶尖的飞秒级时序纯净度,可最大限度降低高速数据传输过程中的误码率与信号损耗,保障高速总线,光纤通信,星间链路的数据实时同步,稳定传输,杜绝通信失步,数据错位,链路中断等故障,全面提升高速通信系统的传输效率,稳定性与抗干扰能力.
四,康华尔电子Microchip原装时序方案专属赋能
高端军工航天时序器件,原装性,适配性,可靠性直接决定项目成败,正规原厂渠道与专业技术服务缺一不可.深圳市康华尔电子有限公司作为Microchip低功耗晶振官方授权一级代理商,专注Microchip宇航级,军工级,工业级晶振与时序发生器全系列产品,是国内少数可提供耐辐射超低抖动时钟发生器全套原装供货与技术落地的服务商.
我司所有在售时钟发生器,精密晶振均为100%Microchip原厂全新原装正品,全套宇航级认证,抗辐射测试报告,高低温测试报告,品质溯源资料齐全,完全满足航天科研立项,军工项目配套,高端量产的资质要求,从源头杜绝翻新件,散新件,仿冒器件带来的品质隐患.依托原厂深度战略合作优势,我司享有新品优先排产,紧缺型号现货锁定权限,长期常备全系列主流型号现货,库存充足,交付稳定,报价透明,可适配科研试样,小批量调试,大批量量产,长期框架供货的全阶段需求.
同时,我司资深FAE技术团队深耕高端时序领域多年,精通Microchip时钟发生器的参数配置,多路相位同步调校,低功耗模式优化,抗辐射工况适配,时序抖动校准,硬件电路匹配等核心技术,可为客户提供一对一精准选型,定制化时序方案设计,电路适配优化,精度调试,样品免费送测,全程技术答疑,故障协助排查的一站式闭环服务,帮助客户快速解决高端时序设计难题,缩短研发周期,降低试错成本.
在高端装备时序精度与可靠性要求持续升级的当下,Microchip耐辐射,低功耗,超低抖动时钟发生器,以行业顶尖性能重构高端时序解决方案标准,持续赋能航空航天,军工测控,精密设备产业迭代升级.如需了解产品详细参数,规格书,原厂技术资料,现货库存及精准报价,欢迎各科研团队,研发工程师,项目负责人,采购同仁来电咨询洽谈！
咨询热线:0755-27838351
公司名称:深圳市康华尔电子有限公司
主营:Microchip微芯科技全系宇航/军工/工业级晶振,耐辐射时钟发生器,MCU微控制器,电源管理芯片原装代理,高端时序与硬件整套解决方案技术赋能
Microchip晶振耐辐射低抖动时钟发生器核心技术优势
|
DSC1101CM1-005.0000 |
Microchip |
DSC1101 |
MEMS |
5MHz |
|
DSC1001DI5-080.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
80MHz |
|
DSC1123CE5-100.0000 |
Microchip |
DSC1123 |
MEMS |
100MHz |
|
DSC1122NI5-025.0020 |
Microchip |
DSC1122 |
MEMS |
25.002MHz |
|
DSC1103DI5-171.8181T |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
171.8181MHz |
|
DSC1103DI5-171.8181T |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
171.8181MHz |
|
DSC1103DI5-171.8181T |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
171.8181MHz |
|
DSC1103DI5-171.8181 |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
171.8181MHz |
|
DSC1102CI5-150.0000T |
Microchip |
DSC1102 |
MEMS |
150MHz |
|
DSC1102CI5-150.0000T |
Microchip |
DSC1102 |
MEMS |
150MHz |
|
DSC1102CI5-150.0000T |
Microchip |
DSC1102 |
MEMS |
150MHz |
|
DSC1103CI5-224.8200 |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
224.82MHz |
|
DSC1123AL1-150.0000 |
Microchip |
DSC1123 |
MEMS |
150MHz |
|
DSC1122AI5-025.0020 |
Microchip |
DSC1122 |
MEMS |
25.002MHz |
|
DSC1123BI5-156.2500T |
Microchip |
DSC1123 |
MEMS |
156.25MHz |
|
DSC1123BI5-156.2500T |
Microchip |
DSC1123 |
MEMS |
156.25MHz |
|
DSC1123BI5-156.2500T |
Microchip |
DSC1123 |
MEMS |
156.25MHz |
|
DSC1103CL5-106.2500T |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
106.25MHz |
|
DSC1103CL5-106.2500T |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
106.25MHz |
|
DSC1103CL5-106.2500T |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
106.25MHz |
|
DSC1124CI1-156.2500TA |
Microchip |
DSC1124 |
MEMS |
156.25MHz |
|
DSC1124CI1-156.2500TA |
Microchip |
DSC1124 |
MEMS |
156.25MHz |
|
DSC1124CI1-156.2500TA |
Microchip |
DSC1124 |
MEMS |
156.25MHz |
|
DSC1103BL5-062.5000 |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
62.5MHz |
|
MX553BBA312M500 |
Microchip |
MX55 |
XO (Standard) |
312.5MHz |
|
DSC6111CI1A-016.0000 |
Microchip |
DSC6100 |
MEMS |
16MHz |
|
DSC1001CL2-012.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
12MHz |
|
DSC1001DI1-050.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
50MHz |
|
DSC1001DI1-024.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
24MHz |
|
DSC1001DI1-025.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
25MHz |
|
DSC1001CI2-033.3300 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
33.33MHz |
|
DSC1001DI5-100.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
100MHz |
|
DSC1001DL5-025.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
25MHz |
|
DSC1001CE2-006.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
6MHz |
|
DSC1001CI1-050.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
50MHz |
|
DSC1001CI2-012.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
12MHz |
|
DSC1001CI2-033.3333 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
33.3333MHz |
|
DSC1001CI5-004.9152 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
4.9152MHz |
|
DSC1122CI5-200.0000 |
Microchip |
DSC1122 |
MEMS |
200MHz |
|
DSC1001CI1-048.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
48MHz |
|
DSC1001CI1-026.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
26MHz |
|
DSC1001AI2-050.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
50MHz |
|
DSC1001AL2-027.0000 |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
27MHz |
|
DSC6083HE1A-032K800T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
32.8kHz |
|
DSC6083HE1A-032K800T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
32.8kHz |
|
DSC6083HE1A-032K800T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
32.8kHz |
|
DSC6011HI1A-002.5000T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
2.5MHz |
|
DSC6011HI1A-002.5000T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
2.5MHz |
|
DSC6011HI1A-002.5000T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
2.5MHz |
|
DSC6013HI1A-002.5000T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
2.5MHz |
|
DSC6013HI1A-002.5000T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
2.5MHz |
|
DSC6013HI1A-002.5000T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
2.5MHz |
|
DSC6083HI2A-002K000T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
2kHz |
|
DSC6083HI2A-002K000T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
2kHz |
|
DSC6083HI2A-002K000T |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
2kHz |
|
DSC6083CI2A-032K768 |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
32.768kHz |
|
DSC6001CI2A-016.0000 |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
16MHz |
|
DSC6003CI2A-012.0000 |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
12MHz |
|
DSC6003CI2A-024.0000 |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
24MHz |
|
DSC6003CI2A-016.0000 |
Microchip |
DSC60XX |
MEMS |
16MHz |
康华尔微信
