康华尔电子有限公司——晶振行业进口晶振品牌代理商

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康华尔电子-中国供应商

KONUAER NIHON DEMPA KOGYO CO., LTD.

客户至上—进口晶振品牌选择康华尔

深圳市康华尔电子有限公司

专营晶振二十年

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晶振厂家

康华尔电子成立至今已有20多年,是国内数一数二的晶振厂家0755-27838351,专业研发生产销售石英晶振,32.768K晶振,石英晶体谐振器,贴片晶振,SAW滤波器等.采用无铅环保材料生产,具有精度稳定,小体积,重量轻等特点.国产晶振就选康华尔电子,质量好,精度高,价格优势.

台产晶振

康华尔电子多年来在竞争激烈的市场中,以技术占领市场,以质量赢得客户,是国内口碑极高的晶振供应商.并且凭借自身的努力代理台湾进口晶振多个品牌,TXC晶振,鸿星晶振,加高晶振,亚陶晶振等.康华尔电子所提供的台产晶振,均符合德国ROHS环保指令,具有高质量,高可靠使用特性,咨询选购热线0755-27838351.

日产晶振

日本进口晶振在国内口碑一流,高端智能产品使用晶振大都会选择日产晶振作为首选.康华尔电子凭借自身的努力同时代理KDS晶振,爱普生晶振,精工晶体,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶体振荡器,贴片晶体均符合欧盟ROHS环保要求,具有高精度,高品质,低插损,耐高温等特点.

欧美晶振

康华尔电子是国内优秀的欧美进口晶振供货商0755-27838351,多年来凭借自身的努力,获得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理权限.所代理进口晶振,欧美晶振均符合欧盟ROHS环保指令,并且获得ISO国际质量管理体系认证.市场常用进口晶振封装型号康华尔电子均有备货,可免费提供现货样品以及晶振技术解决方案.

32.768K

32.768K是晶振频率中最容易让人记住的数字,32.768K晶振素来有时钟晶振的称谓,只要跟数字显示以及时间相关的产品都少不了一款32.768K晶振.根据不同的产品需求主要分为圆柱晶振和32.768K贴片晶振.常见封装有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等体积.康华尔电子提供各种32.768K晶振,音叉表晶,价格优质,咨询热线0755-27838351.

有源晶振

有源晶振是一款自身带有电源电压功能的石英晶体振荡器,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

行业资讯

康华尔电子拥有先进的设备,一流的生产技术,致力于为用户提供小型,薄型,高精密石英晶振,贴片晶体,石英晶体振荡器.多年来康华尔电子通过自身努力,获得多个进口贴片晶振品牌代理权限,比如,KDS晶振,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振,鸿星晶振,CTS晶振,IDT晶振等.康华尔进口晶振代理商,所提供产品均符合国际ROHS环保指令,并且获得ISO9001国际认证,产品价格优势,交期快,咨询热线0755-27838351.

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爱普生有源晶振X1G005591030700和无源晶振振动频率区别

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 浏览：- 发布日期：2022-09-07 15:47:29【大 中 小】
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爱普生有源晶振X1G005591030700和无源晶振振动频率区别

当外加交变电压的频率与晶片的固有频率由晶片的尺寸和形状决定相等时,机械振动的幅度将急剧增加,这种现象称为压电谐振.压电谐振状态的建立和维持都必须借助于振荡器电路才能实现.爱普生贴片晶振是一个串联型振荡器,晶体管T1和T2构成的两级放大器,石英晶体XT与电容C2构成LC电路.在这个电路中石英晶体相当于一个电感,C2为可变电容器,调节其容量即可使电路进入谐振状态.

爱普生OSC晶振,X1G005591030700有源XO晶振

爱普生有源晶振编码 型号 频率 长X宽X高 输出波 电源电压 工作温度 频差 最大值
X1G005591029100 SG-8018CE 20.160000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591029200 SG-8018CE 47.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591029300 SG-8018CE 11.400000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591029400 SG-8018CE 52.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591029500 SG-8018CE 12.600000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591029600 SG-8018CE 66.666600 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591029700 SG-8018CE 25.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591029800 SG-8018CE 10.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591029900 SG-8018CE 50.193300 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591030000 SG-8018CE 13.330000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591030100 SG-8018CE 27.600000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591030200 SG-8018CE 68.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591030300 SG-8018CE 63.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591030400 SG-8018CE 3.840000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591030500 SG-8018CE 20.971520 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591030600 SG-8018CE 4.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591030700 SG-8018CE 8.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591030800 SG-8018CE 7.159090 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591030900 SG-8018CE 2.048000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591031000 SG-8018CE 25.600000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591031100 SG-8018CE 30.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591031200 SG-8018CE 32.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591031300 SG-8018CE 22.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591031400 SG-8018CE 4.915200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591031500 SG-8018CE 3.579546 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591031600 SG-8018CE 21.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591031700 SG-8018CE 3.612700 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA

有源晶振电路原理及与无源晶振的联系与区别有源晶振电路及工作原理简述有源晶振是由石英晶体组成的,石英晶片之所以能当为振荡器使用,是基于它的压电效应：日产晶振在晶片的两个极上加一电场,会使晶体产生机械变形;在石英晶片上加上交变电压,晶体就会产生机械振动,同时机械变形振动又会产生交变电场,虽然这种交变电场的电压极其微弱,但其振动频率是十分稳定的.

爱普生OSC晶振,X1G005591030700有源XO晶振

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