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3.6V|CMOS|SG-210STF 20.000000MHz L|2520mm|50ppm

频率:20MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

    3.6V|CMOS|SG-210STF 20.000000MHz L|2520mm|50ppm,SG-210STF 20.000000MHz L编码是一款金属面贴片型的SPXO晶体振荡器,型号SG-210STF,尺寸为2520mm,频率为20MHZ,支持CMOS输出,电压1.6~3.6V之间,也是一款性能优越的汽车大灯恒温器专用晶振,具备低电压低相位高品质等特点,常常用于无线通信,智能产品,通讯模块,汽车大灯恒温器,汽车遥控器应用等领域。

     EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是全球数一数二的晶振制造商,是数码映像领域的全球领先企业.全称为爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出体积更小,更高性能或全新功能的电子元器件.爱普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.3.6V|CMOS|SG-210STF 20.000000MHz L|2520mm|50ppm.

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    3.6V|CMOS|SG-210STF 20.000000MHz L|2520mm|50ppm,SG-210STF 20.000000MHz L编码是一款金属面贴片型的SPXO晶体振荡器,型号SG-210STF,尺寸为2520mm,频率为20MHZ,支持CMOS输出,电压1.6~3.6V之间,也是一款性能优越的汽车大灯恒温器专用晶振,具备低电压低相位高品质等特点,常常用于无线通信,智能产品,通讯模块,汽车大灯恒温器,汽车遥控器应用等领域。

     EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是全球数一数二的晶振制造商,是数码映像领域的全球领先企业.全称为爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出体积更小,更高性能或全新功能的电子元器件.爱普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶体元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.3.6V|CMOS|SG-210STF 20.000000MHz L|2520mm|50ppm.

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3.6V|CMOS|SG-210STF 20.000000MHz L|2520mm|50ppm  参数表

项目 符号 规格说明 条件
输出频率范围 fo 4 MHz
14.7456 MHz
25 MHz
33.3333 MHz
8 MHz
16 MHz
26 MHz
40 MHz
10 MHz
20 MHz
27 MHz
48 MHz
12 MHz
24 MHz
32 MHz
50 MHz
12.288 MHz
24.576 MHz
33.33 MHz
72 MHz

电源电压 VCC 1.60 V to 3.63 V 4 MHz ≤ fo ≤ 50 MHz, T_use = +105 °C Max . Refer to
Figure 1
1.71 V to 3.63 V fo = 72 MHz, T_use = +85 °C Max.
2.25 V to 3.63 V fo = 72 MHz, T_use = + 105 °C Max.
储存温度 T_stg -55 °C to +125 °C SG2016CAN, SG3225CAN
-40 °C to +125 °C All others
工作温度 T_use -20 °C to +70 °C, -40 °C to +85 °C, -40 °C to + 105 °C See of figure *1
频率公差 f_tol ±25 × 10-6 -20 °C to +70 °C
±50 × 10-6 -40 °C to +85 °C, -40 °C to + 105 °C
电流消耗 ICC VCC  = 1.8 V ± 10 % VCC  = 2.5 V ± 10 % VCC  = 3.3 V ± 10 %
1.5 mA Max. 1.6 mA Max. 1.8 mA Max. No load condition, 4 MHz ≤ fo ≤ 20 MHz
1.8 mA Max. 2.0 mA Max. 2.2 mA Max. No load condition, 20 MHz < fo ≤ 40 MHz
2.1 mA Max. 2.4 mA Max. 2.6 mA Max. No load condition, 40 MHz < fo ≤ 50 MHz
2.4 mA Max. 2.8 mA Max. 3.0 mA Max. No load condition, fo = 72 MHz
待机电流 I_std 2.1 µA Max. 2.5 µA Max. 2.7 µA Max.    
ST =GND
占空比 SYM 45 % to 55 % 50 % VCC  level , L_CMOS ≤ 15 pF
输出电压 VOH 90 % VCC  Min .

1.8 V ± 10 % 2.5 V ± 10 % 3.3 V ± 10 %
VOL 10 % VCC  Max.    IOH - 1.5 mA -3 mA -4 mA
    IOL 1.5 mA 3 mA 4 mA
VOH-2 VCC - 0.4 V Min .

1.8 V± 10 % 2.5 V± 10 % 3.3 V± 10 %
VOL-2 0.4 V Max.    IOH -3 mA -4 mA -6 mA
    IOL 3 mA 4 mA 6 mA
输出负载状态
(CMOS)
L_CMOS 15 pF Max.
输入电压 VIH 80 % VCC  Min . ST terminal
VIL 20 % VCC  Max.
上升时间和下降时间 tr / tf 3 ns Max.
3.5 ns Max . (@1.8 V± 10 %)
20 % VCC to 80 % VCC  level, L_CMOS = 15 pF
振荡启动时间 t_str 3 ms Max. T = 0 at 90 % VCC
频率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25 °C, First year
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3.6V|CMOS|SG-210STF 20.000000MHz L|2520mm|50ppm  尺寸图

SG-210STF 2520 CMOS

编码 品牌 Model/型号 Frequency/频率 LxWxH/尺寸 Output Wave/输出方式 Supply Voltage/电源电压 Ope Temperature/工作温度
X1G0041710097 爱普生晶振 SG-210STF 5.644800 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710098 爱普生晶振 SG-210STF 6.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710099 爱普生晶振 SG-210STF 6.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710100 爱普生晶振 SG-210STF 6.750000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710101 爱普生晶振 SG-210STF 6.780000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710102 爱普生晶振 SG-210STF 7.159090 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710103 爱普生晶振 SG-210STF 7.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710104 爱普生晶振 SG-210STF 8.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710105 爱普生晶振 SG-210STF 9.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710106 爱普生晶振 SG-210STF 9.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710107 爱普生晶振 SG-210STF 9.830400 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710108 爱普生晶振 SG-210STF 15.625000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710109 爱普生晶振 SG-210STF 16.384000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710110 爱普生有源晶振 SG-210STF 16.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710111 爱普生晶振 SG-210STF 16.650000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710112 爱普生晶振 SG-210STF 16.666500 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710113 爱普生晶振 SG-210STF 18.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710114 爱普生晶振 SG-210STF 19.440000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710115 爱普生晶振 SG-210STF 19.660800 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710116 爱普生晶振 SG-210STF 31.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710117 爱普生晶振 SG-210STF 32.768000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710118 爱普生晶振 SG-210STF 33.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710119 爱普生晶振 SG-210STF 33.330000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710120 爱普生晶振 SG-210STF 33.333300 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710121 爱普生晶振 SG-210STF 62.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.710 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710122 爱普生晶振 SG-210STF 66.667000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.710 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710124 爱普生晶振 SG-210STF 72.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.710 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710125 爱普生晶振 SG-210STF 74.176000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.710 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710126 爱普生晶振 SG-210STF 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710127 爱普生晶振 SG-210STF 32.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710128 爱普生晶振 SG-210STF 4.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710136 爱普生晶振 SG-210STF 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710140 爱普生晶振 SG-210STF 16.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710141 爱普生晶振 SG-210STF 13.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710144 爱普生晶振 SG-210STF 33.330000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710146 爱普生晶振 SG-210STF 6.780000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710147 爱普生晶振 SG-210STF 13.560000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710151 爱普生晶振 SG-210STF 66.670000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.710 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710152 爱普生晶振 SG-210STF 27.120000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710153 爱普生晶振 SG-210STF 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710154 爱普生晶振 SG-210STF 16.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710155 爱普生晶振 SG-210STF 8.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710156 爱普生晶振 SG-210STF 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710159 爱普生晶振 SG-210STF 9.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710162 爱普生晶振 SG-210STF 10.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710163 爱普生晶振 SG-210STF 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710164 爱普生晶振 SG-210STF 14.318000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710165 爱普生晶振 SG-210STF 14.318000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710188 爱普生晶振 SG-210STF 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710189 爱普生晶振 SG-210STF 74.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710192 爱普生晶振 SG-210STF 54.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710193 爱普生晶振 SG-210STF 74.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.710 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710195 爱普生晶振 SG-210STF 48.896000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710196 爱普生晶振 SG-210STF 66.660000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.710 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710197 爱普生晶振 SG-210STF 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710198 爱普生晶振 SG-210STF 16.384000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710199 爱普生晶振 SG-210STF 66.666700 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 2.200 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710201 爱普生晶振 SG-210STF 48.896000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710202 爱普生晶振 SG-210STF 33.333333 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710203 爱普生晶振 SG-210STF 48.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710204 爱普生晶振 SG-210STF 48.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710205 爱普生晶振 SG-210STF 22.579200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710206 爱普生石英贴片晶振 SG-210STF 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 105 °C
X1G0041710209 爱普生晶振 SG-210STF 2.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710220 爱普生晶振 SG-210STF 33.333333 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710221 爱普生晶振 SG-210STF 66.666600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.710 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710222 爱普生晶振 SG-210STF 66.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.710 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710223 爱普生晶振 SG-210STF 7.680000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710225 爱普生晶振 SG-210STF 32.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
X1G0041710226 爱普生晶振 SG-210STF 28.636300 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -40 to 85 °C
X1G0041710227 爱普生晶振 SG-210STF 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 3.600 V -20 to 70 °C
SG-210STF SG2016 SG3225 SG5032 SG7050CAN

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TCXO,LMTC1015,HCMOS,GED有源晶振,航空航天应用晶振
TCXO,LMTC1015,HCMOS,GED有源晶振,航空航天应用晶振
TCXO,LMTC1015,HCMOS,GED有源晶振,航空航天应用晶振,欧美晶振,美国进口晶振GED晶振,型号:LMTC1015系列,全尺寸温度补偿晶体振荡器,电源电压:5.0V,频率范围:1.500MHz至150MHz,2至32MHz(Clipped Sine)尺寸:20.7x13.0mm,14引脚DIP,长方形钟振,TCXO温度补偿晶振HCMOS输出晶振,有源晶振,石英晶振,石英晶体振荡器,低成本中等稳定性,提供频率调节选项。具有低抖动晶振,低功耗晶振,低电源电压晶振,低相位噪声晶振,低耗能晶振等特点。应用于商业行业以及过程控制、工业、船舶、航空航天、工业和军事应用。
LM11TCS.3-25000MHzC15V15M05,GED品牌,TCXO温补晶振
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LM11TCS.3-25000MHzC15V15M05,GED品牌,TCXO温补晶振,美国进口晶振,GED晶振,型号:LM11TC系列,编码为:LM11TCS.3-25000MHzC15V15M05,电源电压:3.3V,频率:25.000MHz,精度:±1.5ppm,工作温度范围:-20℃至+70℃,“M05”将表示具有±5.0PPM调整范围的机械修剪器选项,尺寸:0.8x0.5MAX,14引脚DIP,HCMOS输出晶振,TCXO晶体振荡器,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶振,具有低抖动晶振,低功耗晶振,低电压晶振,低相位噪声晶振等特点,应用于:移动通讯晶振,无线网络晶振,物联网晶振,导航晶振,北斗定位晶振等应用。
DSC8001BCE1-T,5032mm,CMOS振荡器,Microchip有源晶振
DSC8001BCE1-T,5032mm,CMOS振荡器,Microchip有源晶振
DSC8001BCE1-T,5032mm,CMOS振荡器,Microchip有源晶振,美国进口晶振,Microchip晶振,型号:DSC8001系列,编码为:DSC8001BCE1-T,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm,DSC8001是一种基于可编程硅MEMS的CMOS振荡器,在广泛的电源电压和温度范围内提供优异的抖动和稳定性能。该设备的工作频率从1到150MHz,增量为100Hz(高达4个小数点分辨率),电源电压在1.8到3.3V之间,温度从-40ºC延长到105ºC。DSC8001包含了一个全硅谐振器,它非常鲁棒,几乎不受应力相关裂缝的影响,这是石英晶体振荡器常见的。在不牺牲当今系统所需的性能和稳定性的情况下,无晶体设计允许更高水平的可靠性,使DSC8001非常适合坚固、工业和便携式应用,其中应力、冲击和振动可能会损害基于石英晶体的系统。应用程序:移动应用,消费类电子产品,便携式电子产品,DVR、CCTV、监控摄像头,低姿态应用,工业等应用。
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