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爱普生晶振,SG3225EAN晶振,LV-PECL晶振,SG3225EAN 156.250000M-KEGA3

频率:73.5MHZ~700MHZ

尺寸:3.2*2.5mm

小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术,“SG3225EAN 156.250000M-KEGA3”最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺,使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.
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1爱普生晶振,SG3225EAN晶振,LV-PECL晶振

爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSONYOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,“SG3225EAN 156.250000M-KEGA3”以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器TCXO)。19962月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000,总投资4.055亿美元,公司占地200,现已经是世界500强企业.

日本精工爱普生晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

“SG3225EAN 156.250000M-KEGA3”爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,贴片晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶体振荡器,压控石英水晶振,等出售给我们的客户.

爱普生晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,“SG3225EAN 156.250000M-KEGA3”利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,事物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会.

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爱普生晶振,SG3225EAN晶振,LV-PECL晶振

“SG3225EAN 156.250000M-KEGA3”全套日本爱普生晶振生产设备,全自动封胶点焊,网络系统自动分频检测设备,SMD全套现代化生产线.贴片晶振,全套材料采用日本进口,日本电波NDK晶振原厂供应晶片材料,采用KYOCER CRYSTAL京瓷晶振外壳基座.主要生产:石英晶振,贴片晶振,有源晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,32.768K钟表晶振,陶瓷雾化片,晶振,谐振器,等产品.并且代理日本进口晶振,爱普生晶振,KDS晶振,精工晶振,京瓷晶振,NDK晶振,村田晶振等多家日本一线品牌.与我国台湾,TXC晶振,鸿星晶振,希华晶振,加高晶振等品牌成为战略合作伙伴.

  “SG3225EAN 156.250000M-KEGA3”2018年与多个欧美晶振品牌签订代销代理同盟合作关系:ECS晶振,Abracon晶振,CTS晶振,JAUCH晶振,的多个有源晶振进口品牌合作关系,主要以车规晶振,工业级晶振,差分晶振,差分晶体振荡器,进口差分晶振,军工晶体为主打.优质的品质:高频,高稳,高温,高质量,小尺寸,低相噪,低抖动,低能耗,低损耗,低功率,底电源电压等优势的进口差分晶振.是国内最早采用SMD全自动化生产企业,并且2005年在赣州地区信丰工业园自购土地兴建现代化生产厂房,实至名归晶振厂家高新企业,产品60%用于出口.主要以数码产品,智能穿戴,家居智能化,汽车电子,医疗设备,手机导航等产品为主要客户源.康华尔电子-以品质求生存,完善的工艺,先进的设备,服务市场,服务客户.

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SG3225EAN

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项目 符号 规格说明 条件
LV-PECL LVDS
SG3225EAN
SG5032EAN
SG7050EAN
SG3225VAN
SG5032VAN
SG7050VAN
输出频率范围 f0 73.5 MHz to 700 MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。
电源电压 VCC K : 2.5 V to 3.3 V VCC = ±10 %
储存温度范围 T_stg -40 °C to +125 °C 存储为单一产品
工作温度范围 T_use B : -20 °C to +70 °C
G : -40 °C to +85 °C
频率稳定度 f_tol C : ±20 × 10-6
E : ±30 × 10-6
J : ±50 × 10-6
功耗 ICC 65 mA Max. 30 mA Max. OE = VCC
L_ECL = 50 Ω or L_LVDS = 100 Ω
f0 = 700 MHz
输出禁用电流 I_dis 20 mA Max. OE = GND
占空比 SYM 45 % to 55 % 在输出交叉点
输出电压
(LV-PECL)
VOH VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V - DC 特征
VOL VCC - 1.78 V to VCC -1.62 V -
输出电压
(LVDS)
VOD - 250 mV to 450 mV VOD1 , VOD2 DC 特征
dVOD - 50 mV Max. dVOD = | VOD1 - VOD2 |
VOS - 1.15 V to 1.35 V VOS1 , VOS2
dVOS - 150 mV Max. dVOS = | VOS1 - VOS2 |
输出负载条件
(ECL) / (LVDS)
L_ECL 50 Ω - 终止于 VCC - 2.0 V
L_LVDS - 100 Ω 连接到 OUT 与 OUT之间
输入电压 VIH 70 % VCC Min. OE 终端
VIL 30 % VCC Max.
上升/下降时间 tr/tf 350 ps Max. - 20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL).
- 300 ps Max. 20 % ~ 80 %微分输出 峰-峰值
振荡启动时间 t_str 3 ms Max. 在电源电压最低时,所需时间为 0 秒
相位抖动 tPJ 0.6 ps Max. *1 抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz
频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25 °C , 第一年
VCC=2.5V or 3.3V,

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