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爱普生晶振,贴片晶振,TG2016SBN晶振,TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3

频率:13-55MHZ

尺寸:2.0*1.6mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,“TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3”有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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EPSON晶振,贴片晶振,TG2016SBN晶振,“TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3”温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:“TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3”是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

13-55MHZ

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

1.60 V to 3.63 V

联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

 

输入电压

VIH

80% VCC Max.

ST 终端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

低消耗晶振,石英水晶振子,TG2016SBN晶振

使用环境(温度和湿度)

请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。

晶振/石英晶体谐振器

激励功率

在晶振上施加过多驱动力,会导致贴片晶体产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率。

负极电阻

除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或陶瓷振荡子振荡启动时间可能会增加。

负载电容

有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容

爱普生晶振,贴片晶振,TG2016SBN晶振 “TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3”

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