低电源TCXO晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振

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爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振

频率：13~38.4MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

有源晶振,是只石英晶振本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

订购热线：86-0755-27838351

爱普生日产晶振以音叉型石英晶体谐振器,（32.768KHZ）系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的晶体应用范围也比较广阔,所有的时记产品都需要用上KHZ系列晶体,该系列产品具有小型,薄型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域.是对应陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比出色的产品.最适用于HDD, SSD, USB数码产品,播放器、数码相机、笔记本电脑、移动电话等.等用途.

爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振,2016mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型,低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊)无铅产品.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.

石英晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同特性的石英晶片，通常我们把晶振的石英晶体振荡器晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其弹性性质，压电性质，温度性质不同，其电特性也各异，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	13~38.4MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.7 V to 3.3 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
输入电压	VIL	20 % VCC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

爱普生TCXO进口日产晶振型号列表:

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

F.Tol@25°C

Ope Temperature

Freq/Temp

I [Max]

Freq. Control

25°C Aging

TG-5035CJ

26.000000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-2.0 ppm

-30 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 1.5 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

26.000000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-1.5 ppm

-30 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 1.5 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

33.600000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-1.5 ppm

-30 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 1.5 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

16.369000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-2.0 ppm

-30 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 1.5 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

26.000000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-2.5 ppm

-30 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 1.5 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

26.000000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-1.5 ppm

-30 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 1.5 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

38.400000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-2.0 ppm

-30 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 2.0 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

52.000000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-2.0 ppm

-30 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 2.0 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

16.368000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-2.0 ppm

-30 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 1.5 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

24.000000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-2.0 ppm

-40 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 1.5 mA

+/-1ppm

TG-5035CJ

16.369000 MHz

2.00 x 1.60 x 0.73 mm

Clipped sine wave

+/-2.0 ppm

-40 to +85 °C

+/-0.50 ppm

≤ 1.5 mA

+/-1ppm

爱普生TCXO进口日产晶振编码列表:

X1G0038410002	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410004	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410010	TG-5035CJ	33.600000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410011	TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410015	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410017	TG-5035CJ	26.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410026	TG-5035CJ	38.400000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-1ppm
X1G0038410027	TG-5035CJ	52.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 2.0 mA	+/-1ppm
X1G0038410029	TG-5035CJ	16.368000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410030	TG-5035CJ	24.000000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm
X1G0038410033	TG-5035CJ	16.369000 MHz	2.00 x 1.60 x 0.73 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA	+/-1ppm

TG-5035CJ 2016

所有产品的共同点1：抗冲击:抗冲击是指金属面晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。

4：粘合剂:请勿使用可能导致2016小型贴片晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。

晶振产品使用每种产品时,请在智能手机晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振

低电源TCXO晶振 TG-5035CJ晶振 X1G0038410002晶振

采购：爱普生晶振,温补晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振

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