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爱普生晶振,温补晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振

频率:10~40MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

小型SMD日产晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅
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伴随信息化社会的进程,现在石英晶振元器件已被广泛应用于各种电子设备以及家电产品之中,日趋重要. 爱普生拓优科梦(Epson — yocom)将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术,创造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同时,融合爱普生集团的半导体与软件技术增添便于使用、能让顾客更体验到利用价值的“解决方案”.通过上述工作,我们将为社会的发展以及实现更舒畅的未来而竭诚奉献.

爱普生晶振,温补晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振,温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作温度范围:-30度至85度,电源电压:1.8V-3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

10~40MHZ

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

2.7V to 5.5V

联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

 

输入电压

VIH

80% VCC Max.

ST 终端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年

爱普生TCXO进口日产晶振型号列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH
Rearranges Rearranges,Rearranges
Output Wave
F.Tol@25°C
Rearranges Rearranges Rearranges
Ope Temperature
Freq/Temp I [Max]
Rearranges Rearranges
Freq. Control
25°C Aging
TG5032SBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-0.9 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-1ppm
TG5032SBN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032SBN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
爱普生TCXO进口日产晶振编码列表:

X1G0045810085 TG5032SBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810086 TG5032SBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810088 TG5032SBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810091 TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810092 TG5032SBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810093 TG5032SBN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810094 TG5032SBN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810095 TG5032SBN 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-0.9 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-1ppm
X1G0045810096 TG5032SBN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810097 TG5032SBN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045810098 TG5032SBN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm

TG5032CBN 5032

PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于5032贴片晶振器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。(2) 在设计时请参考相应的推荐装。(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。 爱普生晶振,温补晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振

存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存无人机晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度: 温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

耐焊性:将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至5032贴片振荡器使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。

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爱普生晶振,温补晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
爱普生晶振,温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振
爱普生晶振,温补晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044410088晶振
智能手机SMD晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
爱普生晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
爱普生晶振,温补晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
5032mm体积的石英晶体振荡器,有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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