86-0755-27838351

频率:9.6-40MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
KDS晶振,温补晶振,DSA535SD晶振,1XTR25000VAA晶振,5032mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V±0.1V to+2.9V±0.1V 对应IC可能) 高度:最高0.8 mm,体积:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.
石英晶振曲率半径加工技术:石英TCXO晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计( a、球面的余弦磨量; b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)。
	 
 
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | 
| 输出频率范围 | f0 | 9.6-40MHZ | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 | 
| 电源电压 | VCC | 2.6-3.3V | 请联系我们以了解更多相关信息 | 
| 储存温度 | T_stg | -40℃ to +85℃ | 裸存 | 
| 工作温度 | T_use | G: -10℃ to +70℃ | 请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com | 
| H: -30℃ to +85℃ | |||
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| 频率稳定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | 
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| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 无负载条件、最大工作频率 | 
| 待机电流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND | 
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF | 
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | 
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| VOL | 0.4 V Max. | 
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| 输出负载条件 | L_CMOS | 15 pF Max. | 
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| 输入电压 | VIH | 80% VCC Max. | ST 终端 | 
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降时间 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF | 
| 振荡启动时间 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % | 
| 频率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,第一年 | 
 
 
	 
 
KDS有源晶振产品列表:
	 
 
	 
 
1.操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
2.使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。5032贴片晶振请避免凝露的产生。
晶振/石英晶体谐振器
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 。
负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,温补晶体振荡器可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。
	KDS晶振,压控温补晶振,DSB535SD晶振,1XTR25000VAA晶振
 


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