高精度金属面晶振,贴片有源晶振,DSB535SD晶振,1XTR25000VAA晶振

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KDS晶振,差分晶振,DSB535SD晶振,1XTR25000VAA晶振

频率：9.6-40MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

订购热线：86-0755-27838351

KDS晶振,温补晶振,DSA535SD晶振,1XTR25000VAA晶振,5032mm体积的温补晶振（TCXO）,是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V±0.1V to+2.9V±0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.

石英晶振曲率半径加工技术：石英TCXO晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术，主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半径的工艺设计（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均匀磨量；c、球面加工曲率半径的配合）2、在加工时球面测量标准的设计原则（曲率半径公式的计算）。

低频率稳定输出晶振,3225金属表面封装晶振,DSX321SH晶振

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	9.6-40MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	2.6-3.3V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃ to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com
		H: -30℃ to +85℃

频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

DSA535SD (VC-TCXO)

KDS有源晶振产品列表：

DSA535SD

低频率稳定输出晶振,3225金属表面封装晶振,DSX321SH晶振

1.操作

请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。

2.使用环境（温度和湿度）

请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。5032贴片晶振请避免凝露的产生。

晶振/石英晶体谐振器

激励功率

在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率。

负极电阻

除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。

负载电容

有源晶振振荡电路中负载电容的不同,温补晶体振荡器可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。

KDS晶振,压控温补晶振,DSB535SD晶振,1XTR25000VAA晶振

深圳市康华尔电子有限公司

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高精度金属面晶振贴片有源晶振 DSB535SD晶振 1XTR25000VAA晶振

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