DSO221SXF晶振,2520mm晶振,小体积贴片晶体振荡器

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KDS晶振,DSO221SXF晶振,蓝牙晶振

频率：1~125MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

小型贴片石英晶振主要采用了，先进的晶片的抛光工艺技术，是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术，最终使晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，大大的降低谐振电阻，使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺，使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.

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KDS晶振,DSO221SXF晶振,蓝牙晶振

日本大真空株式会社,【KDS】品牌,实力见证未来,KDS集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有生产工厂,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶振生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断,从最初的32.768K晶体为主,到现在以小体积贴片晶体振荡器为主,体积已经是全世界石英晶体振荡器之中最小的.

高精度石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英耐高温晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型还有CT、DT、GT、NT等.

普通石英压控晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体振荡器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

KDS晶振,DSO221SXF晶振,蓝牙晶振,如何正确的使用有源晶振

电处理：

将电源连接到有源晶体振荡器指定的终端,确定正确的极性这目录所示.注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英2520晶振,假如损坏那将不会工作.此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏.所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度.

机械处理

当晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.

机械振动的影响

当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通信器材通信质量有影响.尽管SMD晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.

有源晶振的负载电容与阻抗

负载电容与阻抗高精密贴片晶振设置一个规定的负载阻抗值.当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形.特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗.输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器.当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略.

DSO221SXF_dime_jp

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	32.768KHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.6-3.6V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃ to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com
		H: -30℃ to +85℃

频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
输入电压	VIL	20 % VCC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

深圳市康华尔电子有限公司

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