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晶振帝国
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微晶晶振,耐撞击晶振,MS3V-T1R晶体

频率:32.768KHZ

尺寸:5.2*1.4mm

智能手机晶振,产品具有高精度超小型的引脚插件石英晶体谐振器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,插件晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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微晶晶振,耐撞击晶振,MS3V-T1R晶体.普通插件石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.

微晶,1978年成立于瑞士格伦兴,为Swatch Group的供货商,提供手表音叉式晶体的产品.而今,微晶已经发展成为一家在微型音叉式压电石英晶体(32kHz ~ 250MHz),实时时钟模块,晶振和OCXO等多个领域的领导供货商,为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全方位支持,服务范围涵盖手机,计算机,汽车电子,手表,工业控制,植入式医疗及其他高可靠性产品.

石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使进口晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

2

微晶晶振

单位

MS3V-T1R晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

32.768KHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C~+85°C

裸存

工作温度

T_use

-40℃~+85℃

标准温度

激励功率

DL

1.0μW Max.

推荐:10μW

频率公差

f_— l

±20ppm

±100ppm

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.crystal95.com/

频率温度特征

f_tem

30 × 10-6,±50 × 10-6

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

6.0pF/7.0pF/9.0pF/12.5pF

不同负载要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

3

MS3V-T1R 1414

4

负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

晶体振荡器和实时时钟模块

所有石英晶体压控控制振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

电源线路

电源的线路阻抗应尽可能低.

输出负载

建议将输出负载安装在尽可能靠近低损耗晶振的地方(在20mm范围之间).

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

激励功率

在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英低功耗晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

负极电阻

除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则32.768K晶振或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)

MS3V-T1R

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