SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振

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SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：2.0x1.2mm

SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振，尺寸2.0x1.2mm，频率32.768KHZ，可编程有源振荡器，欧美有源晶振，32.768KHZ有源晶振，有源贴片晶振，OSC贴片晶振，SMD振荡器，陶瓷面振荡器，2012mm有源振荡器，工业计时专用晶振，蓝牙模块晶振，WiFi模块专用晶振，工业电池管理晶振，RTC参考时钟专用晶振，低功耗有源晶振，低电压有源晶振，低耗能有源晶振，低相位有源晶振，高质量有源晶振，高性能有源晶振，具有良好的可靠性能。

32.768K晶振产品超级适合用于工业计时，工业电池管理，多点32 kHz时钟分布，蓝牙模块，WiFi模块，RTC参考时钟等领域。SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振.

订购热线：86-0755-27838351

SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振 参数表

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Condition

Frequency and Stability

Output Frequency

Fout

32.768 or
16.384

kHz

Frequency Stability

Initial Tolerance[2]

F_init

ppm

TA = 25°C, post reflow, Vdd: 1.5V – 3.63V.

Frequency Stability Over
Temperature[3]

F_stab

ppm

TA = - 10°C to +70°C, Vdd: 1.5V – 3.63V.

100

TA = -40°C to +85°C, Vdd: 1.5V – 3.63V.

150

TA = -40°C to +105°C, -55°C to +85C, Vdd: 1.8V – 3.63V.

25°C Aging

- 1

ppm

1st Year

Supply Voltage and Current Consumption

Operating Supply Voltage

Vdd

1.5

3.63

TA = over temperature

Operating Current

2Idd

1.0

μA

TA = 25°C, Vdd: 1.5V – 3.3V. No load

1.3

TA = - 10°C to +70°C, Vdd max: 3.63V. No load

1.4

TA = -40°C to +85°C, Vdd max: 3.63V. No load

2.80

TA = -40°C to +105°C, Vdd max: 3.63V. No load

Power-Supply Ramp

t_Vdd
Ramp

100

Over temperature, 0 to 90% Vdd

Start-up Time at Power-up

T_start

180

300

-40°C ≤ TA ≤ 50°C, valid output

450

-40°C ≤ TA ≤ 85°C, valid output

500 + 1
period

TA = - 55°C and +105°C

Operating Temperature Range

Commercial Temperature

T_opn

- 10

°C

Temp code “C” in part number ordering

Industrial Temperature

-40

Temp code “I” in part number ordering

Extended IndustrialTemperature

-40

105

Temp code “E” in part number ordering.

Extended Cold Industrial Temperature

-55

Temp Code “D” in part number ordering.

Automotive Temperature Range

-55

105

ContactSiTimefor Availability

LVCMOS Output, TA= Over Temperature, typical values are at TA= 25°C

Output Rise/Fall Time

tr, tf

100

200

10-90%, 15 pF load, Vdd = 1.5V to 3.63V

10-90% (Vdd), 5 pF load, Vdd ≥ 1.62V

Output Clock Duty Cycle

Output Voltage High

VOH

90%

Vdd: 1.5V – 3.63V. I OH = - 10 μA, 15 pF

Output Voltage Low

VOL

10%

Vdd: 1.5V – 3.63V. I OL = 10 μA, 15 pF

Maximum Output Drive

≥80% LVCMOSswing, TA = over temperature, Vdd = 1.5V to 3.3V

Period Jitter

T_jitt

nsRMS

Cycles = 10,000, TA= 25°C

SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振 尺寸图

SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振

有源晶振产品特点：

<20ppm初始公差

<在-40°C至+85°C范围内的100 ppm稳定性

小型SMD封装：2.0 x 1.2 mm（2012）[1]

SOT23-5工业和汽车应用

超低功率：典型值1.0µA

Vdd供电范围：1.5V至3.63V

广泛的工作温度范围选项

内部滤波消除了外部Vdd旁路电容器

无铅，符合RoHS和REACH

SiTime32.768K有源晶振 SiT1630AI-H4-DCC-32.768S WiFi模块6G晶振

采购：SiTime32.768K有源晶振,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S,WiFi模块6G晶振

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