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百利通亚陶晶振,石英晶体振荡器,NX51SA晶振

频率:5.000MHz~250.000MHz

尺寸:5.0*3.2*1.2mm

贴片式石英有源晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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百利通亚陶晶振,石英晶体振荡器,NX51SA晶振.有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

石英晶振产品电极的设计:石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着SMD晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计、营销与工程中心位于普拉诺、米尔皮塔斯、台湾台北;台湾桃园市、台湾竹北市、英国曼彻斯特及德国纽豪斯 (Neuhaus).Diodes 百利通亚陶晶振的晶圆生产设施位于密苏里州堪萨斯市及曼彻斯特,另外在中国上海亦设有一座生产设施.Diodes 在中国上海、济南、成都、扬州,以及香港、纽豪斯及台北设有组装与测试设施.另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以及德国慕尼黑,并于世界各地设有支持办公室.该公司生产设施已达到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 认证的品质奖.Diodes 公司目前拥有 C-TPAT 认证.

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百利通亚陶晶振

NX51SA晶振

输出类型

           CMOS

输出负载

15pF

振荡模式

基本/第三泛音

电源电压

+2.5V,+3.3V

频率范围

5.000MHz~250.000MHz

频率稳定度

±20ppm,±50ppm

工作温度

-40℃~+85℃

保存温度

-55℃~+125℃

电压卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

启动时间

5 ms Max

相位抖动(12兆赫~20兆赫)

1个PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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NX51SA 5032 OSC

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激励功率

在晶体单元上施加过多驱动力,会导致5032晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

负极电阻

除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).

负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

机械处理

当有源晶振发生外置撞击时,任何石英有源晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致数码电子晶振损坏,或者频率不稳定现象.不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器.如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点.

存储事项

(1)在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口高质量石英晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性.请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏.

正常温度和湿度:温度:+15°C至+35°C,湿度25%RH至85%RH(请参阅“测试点JISC60068-1/IEC60068-1的标准条件”章节内容).

(2)请仔细处理内外盒与卷带.外部压力会导致卷带受到损坏.

自动安装时的冲击

自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些进口石英晶体振荡器.请设置安装条件以尽可能将冲击降至低,并确保在安装前未对产品特性产生影响.条件改变时,请重新检查安装条件.同时,在安装前后,请确保石英晶振未撞击机器或其他电路板等.

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