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爱普生晶振,TG1612SLN晶振,温补晶体振荡器

频率:13MHZ~55.2MHZ

尺寸:1.6*1.2mm

小型贴片石英晶振主要采用了,先进的晶片的抛光工艺技术,是晶体行业中石英晶片研磨技术中表面处理的最高技术,最终使晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,大大的降低谐振电阻,使精度得到了很大的提升。改变了传统的生产工艺,使产品在各项参数得到了很大的改良,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.
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爱普生晶振,TG1612SLN晶振,温补晶体振荡器

爱普生株式会社EPSON晶振,爱普生拓优科梦,(EPSONYOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO)。19962月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000,总投资4.055亿美元,公司占地200,现已经是世界500强企业.

日本精工爱普生晶振接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】  爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生晶振(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

爱普生晶振公司已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.

爱普生晶振公司加强人力资源的全功能,技术,生产,销售和支持和环境问题,利用信息技术,推进我们的原始制造模式寻求实现我们的愿景.视野下就像我提到的,我们的目标是使用我们的技术来创建一个新的连接人的时代,物和信息,这样我相信我们可以成为不可或缺的公司为我们的客户和社会.

爱普生晶振,TG1612SLN晶振,温补晶体振荡器


EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是数码映像领域的全球领先企业.爱普生集团通过富有创新和创造力的文化,提升企业价值,致力于为客户提供数码影像创新技术和解决方案.爱普生拓优科梦是一家专业从事贴片晶振元件的厂商,爱普生拓优科梦(Epson — yocom)运用长年积累的培育人工石英贴片晶振以及以加工为代表的、实现精微化、高精度、高品质的综合技术,提出“3D战略”究极应用石英特性而制造的三大元器件:定时元器件、传感元器件、光学元器件,并创出将其复合而成的模块,为成为不可缺少的企业而迈进至今.

爱普生晶振,小型贴片有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.

石英晶振真空退火技术:日产晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性。

TG1612SLN

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

13~55.2MHZ

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

1.8 V Typ./ 2.8 V Typ./ 3.0 V Typ./ 3.3 V Typ.

联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.crystal95.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

 

输入电压

VIH

80% VCC Max.

ST 终端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年



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