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康华尔电子成立至今已有20多年,是国内数一数二的晶振厂家0755-27838351,专业研发生产销售石英晶振,32.768K晶振,石英晶体谐振器,贴片晶振,SAW滤波器等.采用无铅环保材料生产,具有精度稳定,小体积,重量轻等特点.国产晶振就选康华尔电子,质量好,精度高,价格优势.
康华尔电子多年来在竞争激烈的市场中,以技术占领市场,以质量赢得客户,是国内口碑极高的晶振供应商.并且凭借自身的努力代理台湾进口晶振多个品牌,TXC晶振,鸿星晶振,加高晶振,亚陶晶振等.康华尔电子所提供的台产晶振,均符合德国ROHS环保指令,具有高质量,高可靠使用特性,咨询选购热线0755-27838351.
日本进口晶振在国内口碑一流,高端智能产品使用晶振大都会选择日产晶振作为首选.康华尔电子凭借自身的努力同时代理KDS晶振,爱普生晶振,精工晶体,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶体振荡器,贴片晶体均符合欧盟ROHS环保要求,具有高精度,高品质,低插损,耐高温等特点.
康华尔电子是国内优秀的欧美进口晶振供货商0755-27838351,多年来凭借自身的努力,获得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理权限.所代理进口晶振,欧美晶振均符合欧盟ROHS环保指令,并且获得ISO国际质量管理体系认证.市场常用进口晶振封装型号康华尔电子均有备货,可免费提供现货样品以及晶振技术解决方案.
32.768K是晶振频率中最容易让人记住的数字,32.768K晶振素来有时钟晶振的称谓,只要跟数字显示以及时间相关的产品都少不了一款32.768K晶振.根据不同的产品需求主要分为圆柱晶振和32.768K贴片晶振.常见封装有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等体积.康华尔电子提供各种32.768K晶振,音叉表晶,价格优质,咨询热线0755-27838351.
有源晶振是一款自身带有电源电压功能的石英晶体振荡器,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
频率：50MHZ
尺寸：20.7*13.1mm
QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振荡器,6G无线设备晶振，尺寸为20.7*13.1mm,频率为50MHZ，欧美进口晶振，OSC晶振，有源晶振，有源晶体振荡器，高品质晶振，低抖动晶振，低相位晶振，高精度晶振，低电压晶振，低耗能晶振，该晶体振荡器是基于DIL封装的混合技术。该XO执行+/‐50至+/‐100pm的整体频率稳定性(相对于温度范围和校准在25°C，负载和电源的变化)和老化+/‐5ppm每年。这参考适用于坚固耐用的无线电系统，例如高速列车或航空电子设备。
OscillatorCrystal 产品主要应用范围：推荐用于嵌入式应用，扩展温度范围和坚固的环境，以及航空电子，无线电系统等领域。QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振荡器,6G无线设备晶振.
QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振荡器,6G无线设备晶振，尺寸为20.7*13.1mm,频率为50MHZ，欧美进口晶振，OSC晶振，有源晶振，有源晶体振荡器，高品质晶振，低抖动晶振，低相位晶振，高精度晶振，低电压晶振，低耗能晶振，该晶体振荡器是基于DIL封装的混合技术。该XO执行+/‐50至+/‐100pm的整体频率稳定性(相对于温度范围和校准在25°C，负载和电源的变化)和老化+/‐5ppm每年。这参考适用于坚固耐用的无线电系统，例如高速列车或航空电子设备。
OscillatorCrystal 产品主要应用范围：推荐用于嵌入式应用，扩展温度范围和坚固的环境，以及航空电子，无线电系统等领域。QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振荡器,6G无线设备晶振.
QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振荡器,6G无线设备晶振 参数表
 1. Environmental conditions
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| Parameter Conditions/remarks Min Nom Max Unit | |||||||||||
| Operating Temperature | Temperature option DT | ‐40 | 25 | 85 | °C | ||||||
| Temperature option AY | ‐55 | 25 | 125 | °C | |||||||
| Switch‐on Temperature | TSo | ‐55 | 125 | °C | |||||||
| Non‐Operating Temperature | TNOp | ‐55 | 125 | °C | |||||||
| Random Vibration | Level as per MIL‐STD‐ 202, Method 214, Condition I‐ F (20 Grms) | ||||||||||
| Sine Vibration | Level as per MIL‐STD‐ 202, Method 204, Condition E (50G) | ||||||||||
| Shocks |
Mechanical shock as per MIL‐STD‐ 202, Method 213, cond A (half sine with a peak acceleration of 300g for duration of 3 msec) |
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| Acceleration | Acceleration as per MIL‐STD‐883, Method 2001, condition A (5000g, during 60s in Y1) | ||||||||||
| Parameters Conditions/remarks Min Nom Max Unit | |||||||||||
| Power supply | Option BH | 3.13 | 3.3 | 3.465 | V | ||||||
| Option AH | 4.5 | 5 | 5.5 | V | |||||||
| Load Impedance | 13 | 15 | 18 | pF | |||||||
| Parameters Conditions/Remarks Min Typ Max Unit | |||||||||||
| Nominal Frequency |
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50 | MHz | ||||||||
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Steady state input current power |
20 | mA | |||||||||
| Global Frequency stability (1) | Absolute frequency drift option 50 | ± 50 | ppm | ||||||||
| Absolute frequency drift option 100 | ± 100 | ppm | |||||||||
| Initial frequency accuracy | ± 15 | ppm | |||||||||
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Frequency‐temperature stability |
Temperature option DT | ± 20 | ppm | ||||||||
| Temperature option AY | ± 25 | ppm | |||||||||
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Frequency variation vs. supply voltage |
Over Operating Temperature | ± 3 | ppm | ||||||||
| Frequency variation vs. load | Over Operating Temperature | ± 5 | ppm | ||||||||
| Frequency ageing | Over 15 years | ± 12 | ppm | ||||||||
| Start up time | 10 | ms | |||||||||
| Output waveform | AHCMOS compatible | Square | |||||||||
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Output level VOL |
Supply option BH | 0.4 | V | ||||||||
| Supply option AH | 0.5 | V | |||||||||
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Output level VOH |
Supply option BH | 2.4 | V | ||||||||
| Supply option AH | 4.5 | V | |||||||||
| Duty cycle | 40 | 60 | % | ||||||||
| Option R | 45 | 55 | % | ||||||||
| Rise time | 10%‐90% of Vcc, frequency < 10 MHz | 10 | ns | ||||||||
| 10%‐90% of Vcc, frequency N 10 MHz | 5 | ns | |||||||||
| Fall time | 90%‐ 10% of Vcc, frequency < 10 MHz | 10 | ns | ||||||||
| 90%‐ 10% of Vcc, frequency ≥ 10 MHz | 5 | ns | |||||||||
 Note 1 : Including initial accuracy+freq temp stability+power supply stab+ageing over 15 years
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QEN55-AHRIDT50SB/T50MHZ,Rakon晶振,XO振荡器,6G无线设备晶振 尺寸图
产品特征：
混合产品与模具和电线结合到陶瓷基板上
3点晶体谐振器。
外壳类型:DIL封装14引脚20.7x13.1x5.1mm典型
频率范围:1.5MHz至100MHz
温度范围:从‐40°C到+85°C到‐55°C到+125°C
总体频率稳定性与温度范围和校准在25°C
负载和电源变化:总体+/‐50至+/‐100pm
每年老化:第一年45°C时+/‐5ppm
输出波形:方形;三态输出
电源电压:+3.3V或+5V
可选:R:占空比50/50;T:锡制销;筛选B
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