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SIWARD晶振,贴片晶振,SX-5032晶振

频率:8~100MHZ

尺寸:5.0×3.2×0.7mm

小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

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希华科技藉由台湾、日本、大陆三地的产品设计开发与制程资源整合,不断开发创新及制程改造,以全系列完整产品线,来满足客户对石英元件多样化的需求。积极地透过产学合作与配合国外技术引进开发新产品,多角化经营、扩大市场领域,此亦为公司得以永续经营的方针。

敏锐地掌握电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流,致力于开发小型化、高频与光电领域等产品,与日本同业并驾齐驱。且深耕微机电(MEMS)技术领域,加速导入小体积贴片晶振的量产,藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间。

SIWARD晶振,贴片晶振,SX-5032晶振,低频晶振可从8MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

晶振的真空封装技术:是指压电石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一

希华晶振规格

单位

SX-5032贴片晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

8MHZ~100.0MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C  +125°C

裸存

工作温度

T_use

-30°C  +85°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW  100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
 ±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.crystal95.com/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C  +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C—+85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

SX-5032 5032

以下是石英晶振电路设计匹配问题:

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:

镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 (请参阅芯片组的规格)

Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。

Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。

一个稳定的石英晶体振荡器电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。

例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:

线路连接的电阻(R)与晶体串联

(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。

(3)振荡期间测量R的值。

(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。

附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。SIWARD晶振,贴片晶振,SX-5032晶振

12MHZ贴片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

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