康华尔电子有限公司——晶振行业进口晶振品牌代理商

    1963年ConnorWinfield晶振公司成立后，主要专注于设计和制造用于各种电子应用的石英计时电路和振荡器,Connor-Winfield Corp. 在各个层面都致力于通过对我们的产品、服务和质量管理体系的有效性进行持续测量、审查和改进来满足所有客户的要求并提高客户满意度。 “我们的客户以优质的产品、及时的交货和优质的服务取胜。”

    ConnorWinfield 晶振公司研发生产的IL - Connor-Winfield D32G系列是3.2x2.5 mm表面安装温度补偿晶体振荡器(TCXOs)。通过使用模拟温度补偿，D32G系列能够在-30至85°C保持低于1ppm的稳定性，温度范围内。

     这些TCXO晶振非常适合用于GPS接收机、仪器仪表、Femtocell、FTTH和FTTC应用，需要在宽温度范围内保持良好的稳定性.

    产品特点:
3.3 vdc操作
剪切正弦波输出逻辑
超小型3.2x2.5 mm SMT封装
频率稳定性:±0.50 ppm
温度范围:-30 ~ 85°C
低抖动<1pS RMS
低相位噪声
低老化
磁带和卷轴包装

通过无铅认证
推荐用于新设计
这种Connor-Winfield产品是在美国设计和制造的.

石英晶体，切角

压电材料，尤其是石英，具有将电能转化为机械能的特性，反之亦然。在技术应用中，通过施加交变电场来利用这种效应，这将导致材料振动并随后产生机械共振。这种电反应允许用作具有非常高品质因数Q和低温度系数的电谐振器。

可以使不同的石英晶体切割具有不同的特性。切割由围绕晶轴的两个旋转角phi和theta定义。最常见的切割是单旋转AT-cut (phi = 0°) 和双旋转 SC-cut (phi = 22°)。两种情况下的θ角都在34°左右。还存在其他用于特殊应用的双旋转切割，例如MSC-、IT-、FC-、LD-。

石英谐振器

晶体的频率与元素的厚度成反比。对于机械加工，这导致在基本模式下工作的晶体的频率上限约为 50MHz。为了在基模中达到更高的频率，KVG还生产化学蚀刻的倒置台面晶体，其中谐振器的中心部分被蚀刻成厚度低至10微米。

谐振器设计

基本模式和泛音模式

高频晶体在厚度剪切振动中振动，可以在基频或奇泛音模式下激发。泛音晶体的运动电容 C1n 随着泛音的阶数 n 减小，并且近似地由 C n C n 1 11 » 2 给出。因此，泛音晶体的CO/C1比比在基模下工作的晶体大得多，并且提拉范围减小了大约 n3倍。VCXO(压控晶振)中使用的晶体需要宽的拉动范围，因此在基模下工作。

不需要的响应和不谐波（杂散模式）

对于每个泛音，所有石英晶体谐振器都会产生一个主模式，即厚度剪切振动以及不需要的响应，即高于谐振频率的非谐波厚度剪切模式。除了常用的厚度剪切C模式之外，还存在另一种称为B模式的厚度剪切模式。与C模式相比，它具有更高的频率和更低的运动阻力，但温度系数更大。有时需要过滤此模式以使振荡器在C模式下工作。其他不需要的模式是剪切振动、弯曲振动、厚度振动和扭转振动，它们可能出现在所需的共振频率之上和之下。通过正确的振荡器设计，不需要的模式很少会引起问题。接近共振频率的不需要的模式会影响振荡器的启动行为，或导致在运行过程中切换到错误的频率。其他不良影响是由不需要的模式引起的频率和电阻随温度下降。杂散模式通常指定为非谐波模式的谐振电阻与主模式电阻的比率。KVG必须具有有关测试电路（例如 pi 网络或测量电桥）和杂散模式频率范围的详细信息。

等效电路

在谐振频率附近，晶体单元由图8所示的电气两极表示。
CO：分流电容（电极、晶体支架、引线和外壳之间的电容）
C1：运动电容（代表机械弹性）
L1：运动电感（代表机械惯性）
R1：运动电阻（代表机械损耗）

QANTEK晶振生产业内最广泛的频率控制产品线之一。产品范围包括各种封装类型的晶体振荡器和石英晶体。所有产品均按照最高ISO/TS质量标准制造。

我们提供的通孔和表面贴装的全面产品系列包括：
石英晶体(XTAL)
时钟振荡器(XO)
压控晶体振荡器(VCXO)
温度补偿晶体振荡器(TCXO)
烤箱控制晶体振荡器(OCXO)
石英晶体过滤器
陶瓷谐振器

高度低，适合薄型设备,陶瓷封装和金属盖确保高可靠性,提供严格的公差和稳定性,
1.6x2.0x0.5mm超微型封装,带金属盖的接缝密封陶瓷封装确保高精度和可靠性,
小尺寸SMD中的低频,接缝密封陶瓷封装提供出色的环境和耐热性,适用于工业应用的扩展温度-40至+85℃,

普通接缝密封包装的低成本替代品,通过豁免符合RoHS,适用于RoHS回流焊,可用于严格的稳定性和扩展的温度范围,

全陶瓷环氧树脂密封SMD封装,高度低,适合薄型设备,提供严格的公差和稳定性,
行业标准的32.768kHz时钟信号源,优异的抗震性和环境能力,完全符合RoHs,低成本的高品质组件,
具有回流能力的优良环境和耐热塑料封装,适用于工业应用的扩展温度-40至+85℃,
最适合小型表面贴装型的高密度电路板,嵌入耐热圆柱型晶体,带来高度稳定的特性,适用于小型移动电信设备,

高可靠性和低成本,严格的稳定性和扩展的温度,经过验证的电阻焊接金属封装，AT切晶性能,微处理器应用的理想选择,

行业标准的32.768kHz时钟信号源,优异的抗震性和环境能力,通过豁免符合RoHS,低成本的高品质组件,

微型5.0x7.0x1.4mm封装,频率范围1.000至155.520MHz,标配三态（启用/禁用）功能,电源电压范围:1.8、2.5、3.3或5.0伏，

提供高输出负载版本(50pF),超小型3.2x5.0x1.3mm封装,频率范围1.000至155.520MHz,标配三态（启用/禁用）功能,电源电压1.8、2.5或3.3伏，

为什么TCXO有削波的正弦波输出？

大多数陶瓷LCC封装的TCXO温补晶振仅提供削波正弦波输出。这样做的原因有很多，尽管它让许多想要CMOS输出电平的电路设计人员感到沮丧。

* CMOS输出会显着增加TCXO IC的功耗。IC和封装中产生的温度梯度将限制实现最佳TCXO补偿的能力。

* 由于内部热梯度导致TCXO不符合规格，可能的CMOS负载范围很广会改变补偿设计。

* 当输出电平改变时，CMOS输出会导致电源和接地瞬变。这种噪声会对TCXO的相位噪声性能产生不利影响。

* CMOS输出会产生更大的EMI/RFI信号，这可能会导致难以满足美国FCC和其他国家最终系统的辐射能量限制。削波的正弦波，既是低幅度又主要是正弦波，导致低信号电平和更少的谐波。

* 使用这些TCXO的许多应用都有ASIC输入，可以接受削波正弦波并在内部转换为CMOS逻辑电平。

TCXO和OCXO技术之间的区别,集成电路技术的进步使得OCXO和TCXO模糊了他们的历史差异。随着技术的进步，这两种类型的振荡器使得许多设计者很难确定哪种技术是合适的,对于特定的应用。本应用笔记旨在为设计人员提供一个比较OCXO和TCXO的，以帮助作出更明智的选择，并实现给定应用的最佳性能

OCXO恒温晶振和TCXO温补晶振技术之间的当前分界线大约是0.28 PPM的水平,超过所需的温度范围。TCXO为第三层应用开发提高了温度范围内的稳定性，接近传统的稳定性,由OCXO实现的。由于这两种技术都适用于应用程序，这可能会造成混淆,决定哪一个最适合给定的应用。

TCXO是一种温补晶体振荡器，具有施加到电压上的校正电压 控制引脚。该电压随温度变化，使频率回到标称值。这应用在规格的整个频率范围内使用晶体。任何水晶耦合模式等相关问题无法校正，并且会叠加在频率-温度曲线上。这使得晶体的设计和制造变得困难,也是TCXO的重要组成部分。

温度稳定的环境具有一些固有的优点。这种方法大大地降低前面提到的温度系数效应。当EFC变化+/-4 ppm和+/- 8 ppm时，OCXO的频率温度特性去TCXO。数据显示与控制电压变化相关的OCXO的稳定性在范围内与50-100 ppb的TCXO相比，其为5-10 ppb

OCXO具有在非常窄的温度范围内锻炼石英晶体的额外优势窗口，通常为几度或更小。这大大减少了激发不必要的机会晶体中的模式。这种方法的最大缺点是设备的尺寸和电源要求。随着技术的发展，这些设备的尺寸和功率需求设备继续减少。

Pletronics石英晶振频率控制技术，频率控制的发展一直在稳步前进技术。虽然许多变化是技术自然发展的结果，主要驱动因素是增强的制造能力、降低成本的需求以及对于更小的尺寸、更高的稳定性、更低的功耗，和更快的启动。

石英元器件，主要是体声波(BAW)器件，长期以来一直是所有商用时钟源的比较标准。历史石英晶体作为用于频率控制的非常稳定、高质量的石英晶体谐振器已被很好地证明举世公认。石英频率控制器件的频率与温度响应、老化、抖动和相位噪声特性都在中有详细记录行业。然而，这种特性与采用新技术的频率控制装置的简明技术比较一直缺乏。建立MEMS和之间的基准其他设备与已建立的石英基设备相比，该分析的作者开始2007年的一项研究，并在2008年发表了频率控制装置的对比分析。这比较研究是对早期基准分析的更新和扩展。

恒温控制晶体振荡器(OCXO)通常用于高精度频率应用。 这种方法将晶体和相关的振荡器电路加热到水晶。在OCXO应用中使用的上转折点的一部分。OCXO具有在非常窄的温度范围内锻炼晶体的额外优势窗口，通常为几度或更小。这大大减少了激发不必要的机会晶体中的模式。这种方法的最大缺点是设备的尺寸和电源要求。随着技术的发展，这些设备的尺寸和功率需求设备继续减少。

这些振荡器的晶体是这样制造的，即上转折点高于最高点额定温度范围。晶体和相关电路被加热到并保持在晶体上该点周围的温度窗口变窄，设备被调谐到频率那个温度。

不同时钟技术的成本相对优点，SYSCLK系统时钟产生方法：基本的“无装饰”晶体振荡器利用一个石英晶体，并与简单的电路一起使用晶体的基本模式，并创建一个方波输出。这种体系结构为以下方面提供了最佳性能峰峰值和均方根抖动，通常在最高50Mhz的频率下最具成本效益。达到更高抖动最低的频率，这种技术被称为高频基波(“HFF”)已使用。可以使晶体以其泛音模式之一振动，该模式出现在的奇数倍数附近基本共振频率。这种晶体被称为第三、第五、第七等泛音(“OT”)晶体。为了实现这一点，振荡器电路通常包括额外的设计元素来选择所需的泛音。与此相关的是，使晶体在其第三泛音上工作以达到高达3x50Mhz频率的架构= 在典型应用中，可以有效地执行150Mhz。